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Der Speicher von Grafikkarten kann noch leichter wachsen: Samsung startet die Serienproduktion von schnellen GDDR5-SGRAM-Bauelementen mit 8 Gigabit, also 1 GByte Kapazität.

Dank der schrittweisen Strukturverkleinerungen passen bei DRAM-Chips immer mehr Speicherzellen auf dieselbe Fläche. GDDR5-SGRAMs waren bisher mit 2 oder 4 Gigabit Kapazität lieferbar, also höchstens einem halben Gigabyte auf einem einzigen Siliziumchip (Die). Nun beginnt Samsung im 20-Nanometer-Prozess mit der Fertigung von 1-GByte-Chips [1], man spricht bei Einzelchips aber traditionell von 8 GBit.

Wie bisherige GDDR5-SGRAMs haben auch die Neulinge (K4G80325FB) 32 Datensignalleitungen und können pro Datenpin bis zu 8 GBit pro Sekunde übertragen (8 GT/s): Der Read/Write-Clock beträgt maximal 4 GHz.

Über 32 Leitungen fließen 4 Byte pro Transfer, ein einziger Chip liefert also bis zu 32 GByte/s. Auf einer hypothetischen 2-GByte-Grafikkarte mit zwei der neuen GDDR5-SGRAMs würde die GPU also über 64 Leitungen maximal 64 GByte/s Datentransferrate nutzen können. Wahrscheinlich kommen aber zunächst größere Stückzahlen der 8-GBit-GDDR5-Chips mit niedrigeren Transferraten zum Einsatz, gängiger sind Bereiche zwischen 5 und 7 GT/s. Bei 5 GT/s wären es noch 20 GByte/s pro Chip und folglich 40 GByte/s für Grafikkarten mit 2 GByte und 80 GByte/s für 4-GByte-Karten.

Bei Highend-GPUs mit 256 oder gar 384 Datensignalleitungen würde der Einsatz von 8-GBit-Chips zu riesigem Grafikspeicher von 8 oder 12 GByte führen, weil 8 beziehungsweise 12 Bauelemente nötig wären. Billig-Grafikkarten wiederum sind oft mit deutlich langsameren DDR3-Chips bestückt. Es ist deshalb nicht ganz klar, auf welche Produktsegmente Samsung mit den 8-GBit-GDDR5-SGRAMs vordringlich zielt. (ciw [2])

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https://www.heise.de/-2518242

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13921
[2] mailto:ciw@ct.de

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